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陜西切割線硅片切割新退線工藝研究
作者:admin    發(fā)布日期:2017/12/29     關(guān)注次數(shù):      二維碼分享

陜西切割線硅片切割新退線工藝研究工作需要我們做哪些呢?你知道嗎?下面西安合茵機電有限公司小編來告訴您:

在硅片切割工序中采用了一種新的退線方法,硅片切割完成后和提升硅片前增加一道退線工序,用于清除導(dǎo)輪上的線網(wǎng),有效地減少硅片粘接面和側(cè)面的崩缺和隱裂,減少掉片的產(chǎn)生;采用導(dǎo)輪和繞線輪反轉(zhuǎn)的方法收取線網(wǎng),減少一道用剪刀剪除導(dǎo)輪上線網(wǎng)的工序,消除了因碎鋼線引起的誤報警停機和硅片相應(yīng)位置的停機線痕。

傳統(tǒng)的退線過程,硅片切割完成后的提升過程中會受到來自鋼線的向下拉力,所造成的反向線弓遠遠大于切割過程中的線弓,嚴重時甚至?xí)鸬羝斐晒杵瑩p失[1]。針對傳統(tǒng)退線過程存在的問題,采用一種新的退線工藝,即在硅片切割完成后和提升硅片前的期間,使用新的工藝將導(dǎo)輪上的線網(wǎng)清除掉。線網(wǎng)清除后,硅片在提升過程中不再受到來自鋼線的向下拉力,消除了此過程產(chǎn)生硅片崩缺等不良的不利因素,達到提升A 品率的目的。

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一、磁性裝置固定剪線網(wǎng)方案


在硅片的進線和出線端面方向,初期采用磁棒作為磁性裝置對線網(wǎng)進行固定,將硅片和磁棒之間的線網(wǎng)剪斷,剪斷點盡量貼近硅片[3]。線網(wǎng)剪斷后,將殘留在硅片縫隙中的鋼線抽取出來。經(jīng)過實驗發(fā)現(xiàn),由于鋼線上殘留砂漿的存在,剪線網(wǎng)后相鄰的鋼線會纏繞到一起,無法順利地將鋼線從硅片的縫隙中抽取出來。如果不抽取鋼線,將對脫膠工序產(chǎn)生不利影響,脫膠后很難整理硅片從而引起碎片,此方案不可行。

二、正向退線工藝方案

剪斷導(dǎo)輪進線口鋼線,開啟砂漿,線速設(shè)置為10m/s,使用斷線模式和收線輪收線的方式,將導(dǎo)輪上的鋼線收入收線輪,導(dǎo)輪上保留1km 鋼線用于下一刀布線。

工藝在車間共進行了試刀實驗。正向退線工藝崩缺比例較正常有所下降,A 品率提升。排除線痕的影響,A+B 品率和收率都有顯著的提升。在收線完成后導(dǎo)輪上已留有約1km線網(wǎng)用于下一刀布線網(wǎng),由于操作工實際操作水平不一,有一定幾率會造成下一刀布線時反跑線網(wǎng)過程中鋼線松散,無法完成布線,需要增加切片準備時間1-2h[4]。為避免此問題,需要對工藝進行改進。

三、反向退線工藝

剪斷導(dǎo)輪出線口鋼線,開啟砂漿,線速設(shè)置為10m/s,使用斷線模式和放線輪收線的方式,將導(dǎo)輪上的鋼線收入放線輪,導(dǎo)輪上保留0.5-0.8km 鋼線用于下一刀布線。

反向退線工藝主要是為了解決正向退線工藝中下一刀布線網(wǎng)可能會遇到的問題,適用于放線輪前有排線器的線切機。在不改造設(shè)備的前提下,主要適用于新B5 線切機。在車間分別進行了試刀實驗。反向退線工藝崩缺比例較正常下降了1.11%,A 品率提升2.26%,排除線痕的影響,實際A 品率提升1.38%,A+B 品率和收率都有顯著的提升。



四、結(jié)果與討論

磁性裝置固定剪線網(wǎng)方案在實際生產(chǎn)中不適用,正向、反向退線兩種工藝都可以對硅片A 品率和崩缺不良起到良好的改善作用,但正向退線工藝對下一刀布線的不利影響較大,因此反向退線工藝相對更加適合推廣應(yīng)用[5]。工人對新工藝的理解和操作是直接關(guān)乎企業(yè)效益,企業(yè)應(yīng)該在運用此工藝的時候編制與之對應(yīng)的《新退線工藝操作流程》,對車間線切機操作人員進行工藝操作流程培訓(xùn),以便項目推廣應(yīng)用[5]。

參考文獻:

[1] 李清楠. 新能源太陽能發(fā)電技術(shù)及應(yīng)用研究[J]. 科技展望, 2017(28): 159.

[2] Assadi M K, Bakhoda S, Saidur R, et al. Recentprogress in perovskite solar cells[J]. Renewable andSustainable Energy Reviews, 2017.

[3] 徐偉,王英民,何超,等. 金剛石多線切割工藝對高純4H-SiC 晶片翹曲度的影響[J]. 工業(yè)設(shè)計, 2017(07):126-127.

[4] 鮑官培,周翟和,章愷,等. 太陽能硅片游離磨料電解磨削多線切割表面完整性研究[J]. 機械工程學(xué)報,2016(11): 201-206.

[5] 鄭璐,何鳳琴,錢俊,等. 太陽電池用晶體硅片及其技術(shù)標準發(fā)展現(xiàn)狀[J]. 電源技術(shù), 2016(04): 924-926.




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