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?金剛石切割線技術(shù)在光伏市場的應(yīng)用展望!
作者:admin    發(fā)布日期:2018/2/26     關(guān)注次數(shù):      二維碼分享

金剛石切割線技術(shù)在光伏市場的應(yīng)用展望有哪些辦法呢?下面西安合茵機(jī)電有限公司小編告訴您:

金剛石切割線在現(xiàn)階段主要應(yīng)用于硬脆材料的切割,客戶集中在光伏硅材料、藍(lán)寶石行業(yè),集中度較高。硅片主要應(yīng)用于太陽能光伏行業(yè),而藍(lán)寶石主要應(yīng)用于LED 照明和消費(fèi)類電子行業(yè)。我們先來看下金剛石線切割的發(fā)展歷程。

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目前,國內(nèi)約80%的金剛石切割線通過下游硅片生產(chǎn)廠商進(jìn)入光伏行業(yè),尤其是在掃除技術(shù)壁壘后,硅片切割用金剛石線的溢價能力得到提升,是行業(yè)需求彈性的核心。中國是世界第一的太陽能硅片生產(chǎn)者,光伏行業(yè)的


金剛線下游應(yīng)用領(lǐng)域主要是光伏硅片切割與藍(lán)寶石切割,其中光伏領(lǐng)域的硅片切割占據(jù)99%.


根據(jù)光伏業(yè)協(xié)會的數(shù)據(jù),2017 年金剛線在單晶硅的滲透率已達(dá)到100%,在多晶硅的滲透率為35%,未來金剛線在光伏領(lǐng)域的增長主要來自于三方面:


光伏市場新增裝機(jī)容量的提升

全球光伏市場強(qiáng)勁增長,中國占據(jù)半壁江山。2017 年,全球光伏市場新增裝機(jī)容量達(dá)到102GW,同比增長超過37%,累計光伏容量達(dá)到405GW。2017 年我國新增光伏電站規(guī)模為52.83GW,同比增長超過53.6%,其中新增分布式光伏電站裝機(jī)已超19GW,同比超過360%,超前五年分布式光伏總裝機(jī)量,在新增裝機(jī)量占比超過36%。2018 年全球市場仍將保持增長勢頭,中國市場仍將保持一定的市場體量。受益于投資成本持續(xù)下降,發(fā)電量持續(xù)提升,光伏平價上網(wǎng)已為期不遠(yuǎn)。


從投資成本方面來看,組件價格可從當(dāng)前2.7 元/瓦左右有望下降至2-2.2 元/瓦;系統(tǒng)投資成本可從當(dāng)年6 元/瓦下降至5 元/瓦。從發(fā)電量方面來看,設(shè)備性能提升(如組件逆變器壽命提高、雙面組件)、電站設(shè)計水平提升(包括容配比設(shè)計、可調(diào)支架使用)等,以及運(yùn)維水平提升,大幅提升系統(tǒng)發(fā)電量水平。


光伏并網(wǎng)增多將刺激裝機(jī)需求,根據(jù)中國光伏業(yè)協(xié)會的預(yù)測,2018 年全球市場仍將保持增長勢頭,樂觀情形下新增裝機(jī)容量約為105GW,保守情形下新增90GW。中國市場2018 年仍將保持一定的市場體量,樂觀情形下,預(yù)計新增裝機(jī)容量為45GW,保守情形下新增30GW,其中分布式光伏將成未來發(fā)展重點(diǎn),扶貧、戶用等細(xì)分市場正加速崛起。


單晶硅在硅片市場中占比的提升

根據(jù)CPIA 的數(shù)據(jù),單晶硅2017年在硅片市場中的市占率為31%,金剛線切占比達(dá)到100%,所以單晶硅片金剛線的發(fā)展未來主要來自于單晶硅在硅片中市占率的提升。根據(jù)《中國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖》(2017年版)的數(shù)據(jù),到2020 年單晶硅的市占率將達(dá)到46%,2025年市占率將超過50%。


目前單晶多晶成本差距縮小,且單晶仍有下降空間。較新數(shù)據(jù)顯示,多晶硅片(156mm×156mm)現(xiàn)貨周平均價為0.6 美元/片,單晶硅片(156mm×156mm)現(xiàn)貨周平均價為0.69 美元/片,二者差距不斷縮小。


效率方面,單晶硅電池轉(zhuǎn)換效率及單晶硅電站發(fā)電效率均更高。單晶硅電池轉(zhuǎn)換效率2017 年達(dá)到21.3%,其中P-PERC 較高轉(zhuǎn)換效率不斷突破,晶科的較高轉(zhuǎn)換效率達(dá)到23.45%,隆基達(dá)到22.7%。相比之下,高于多晶硅的轉(zhuǎn)換效率 19.2%。


金剛線在多晶硅滲透率的提升

目前多晶硅在硅片市場中市占率高,但多數(shù)仍為砂漿線切割,金剛線切割的滲透率較低。根據(jù)CPIA 的數(shù)據(jù),多晶硅2017 年在硅片市場中的市占率達(dá)到69%,金剛線切占比僅為35%,


2015 年以前,金剛線切割多晶硅主要存在兩大難點(diǎn):

1)鑄錠晶體中存在的硬點(diǎn)可能會在切割過程中造成斷線;隨著多晶硅錠雜質(zhì)控制技術(shù)提升,斷線問題可以得到解決,黑硅技術(shù)+金剛石線切割兩項技術(shù)解決硅片的絨面難題,既能提升電池轉(zhuǎn)化效率又能降低電池成本。相比之前的砂線切割,金剛線切多晶機(jī)臺生產(chǎn)效率提升50%以上,單位硅耗降低20%以上,垂直制造成本可降低26%以上,是近年來較重要的降本措施。


2)損傷層淺,難以沿用現(xiàn)行酸性濕法制絨技術(shù)制備減反射絨面,硅片表面反射率偏高。未來PERC 電池將成主流,“PERC(鈍化發(fā)射極背面接觸)工藝+黑硅工藝+金剛線切多晶”成高效多晶繼續(xù)進(jìn)步的必由之路。通過對比各種晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率可以發(fā)現(xiàn),單晶硅電池轉(zhuǎn)換效率普遍高于多晶硅,PERC 電池轉(zhuǎn)換效率普遍高于BSF 電池,PERC 工藝+黑硅工藝+金剛線切多晶等技術(shù)綜合運(yùn)用,已把多晶電池量產(chǎn)效率推升至20.5%以上?,F(xiàn)階段市場仍以BSF 電池為主,根據(jù)CPIA 的數(shù)據(jù),2019 年P(guān)ERC 電池的市占率將超過50%,PERC 的流行將會使得砂漿線逐漸退出多晶硅切割市場,“PERC 工藝+黑硅工藝+金剛線切多晶”為新一代高效多晶繼續(xù)進(jìn)步的必由之路。

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